来源：华尔街见闻

　　大摩预计，到2025年，HBM的供应不足率为-11%，整个DRAM市场的供应不足率为-23%。特别是HBM的需求量将大幅增加，可能占总 DRAM供应的30%以上。

　　人工智能需求推动，叠加过去两年资本支出不足，内存市场正迎来前所未有的“超级周期”。

人工智能的快速发展将导致DRAM和HBM的供需失衡，预计2025年HBM的供应不足率为-11%，整个DRAM市场的供应不足率为-23%。特别是HBM的需求量将大幅增加，可能占总DRAM供应的30%。

由于DRAM供应不足，加之过去两年的资本支出不足，没有新的晶圆厂或大规模晶圆可用，这将为内存市场超级周期提供了动力。

内存的价格也将水涨船高，预计商品存储产品的价格将在2024年每季度以两位数速度上涨，2025年HBM的价格将更高，服务器DRAM和超高密度QLC固态硬盘将引领价格上涨。

　　进一步来看，在内存市场中的战略地位的公司SK海力士和三星市场份额将进一步增长：

将内存行业2024-25年的每股收益预测提高了24-82%，较最新的预期共识高出51-54%；

　　这个存储周期有所不同

　　大摩指出，从历史来看，内存市场周期性明显，周期整体路径相似。一般是资本投资周期较长，扩展产能需要2-3个季度，而新工厂建设需要2-3年。

内存行业通常每两年会出现一次短暂的供需平衡，这种周期性是由半导体制造业的长期资本投资周期驱动的，产能扩张周期中产能的扩张通常需要2-3个季度，而新晶圆厂的建设和投产则需要2-3年。

上行周期原因多样，包括互联网、云计算、新冠病毒和人工智能等，这些因素使得公司将周期视为新现象，但新的产能往往在行业最不需要的时候上线。

　　但这个周期有所不同，大摩指出：

与过去相比，当前周期中行业的资本支出远低于维持产能所需的水平，自2022年第三季度以来产能一直在下降。

这种投资的缺乏正发生在内存供应链迅速转移到HBM的之际，HBM每比特所需的晶圆容量是普通DRAM的两倍，其生产良率也较低。

　　大摩预计，到2025年，HBM市场份额占比将增长，整体市场供应不足将更明显：

预计到2025年，HBM总可寻址市场（TAM）预计将显著增长，从2025年的370亿美元增长到2027年的700亿美元，市场份额将占整个DRAM市场的30%以上，混合价格将上涨10%以上。

从2025年开始，智能手机和个人电脑的人工智能升级周期可能需要额外的内存产能，预计市场届时将面临严重的供应短缺，HBM的供应不足率为-11%，整个DRAM市场的供应不足率为-23%。

　　价格方面，SK海力士和三星电子都在积极扩展HBM和DRAM的生产能力，预计2024年第二季度DRAM合同价格将环比上涨13-18%，第三季度可能上涨10-15%。摩根士丹利表示：

给予收益预测和价格目标变化，我们将DRAM和NAND的第三季度定价展望分别上调至13%和20%，而之前的预测为DRAM 8%和NAND 10%。客户行为发生了变化，确保供应越来越多地优先于定价，来自中国的订单智能手机oem应该会继续上升到第三季度，PC ODM/ oem将继续确保内存供应，同时为某些大型PC oem保持接近20周的库存。行业产量仍低于需求，减产仍在继续，而需求环境的改善也为24年下半年的价格前景带来了更大的确定性。

　　行业龙头公司市场份额将进一步增长

　　AI驱动的内存“超级周期”将为SK海力士和三星电子带来份额的增长，大摩将SK海力士目标价提高11%至30万韩元，较目前有约30%的上涨空间，其预计海力士2024年和2025年的每股收益将比市场预期高出59%，海力士2024年第三季度的业绩指引将会更高。

　　大摩将三星电子目标价提高至10.5万韩元，较目前有36%上涨空间，并指出三星电子获得英伟达的资格在2025年将至关重要。对三星来说，最好的结果是明年获得HBM3E资格，以避免GPU需求出现任何供应中断。最糟糕的情况是，三星可能需要将超过50亿Gb的HBM晶圆产能转向商品DRAM市场。如果三星的HBM晶圆产能转向DRAM，这可能会对DRAM市场供应产生显著影响，增加供应增长。

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责任编辑：王许宁