受大基金三期消息催化，半导体板块今日再度走强，延续昨日涨势。

　　“大基金三期”与前两期有何变化？

　　国家大基金的发展始于2014年，当时国务院发布《国家集成电路产业发展推进纲要》（以下简称《纲要》），明确了集成电路产业发展的远期目标，即到2023年，产业链主要环节达到国际先进水平。为了实现这一目标，在工信部、财政部的指导下，大基金设立，旨在扶持中国自己的芯片产业，用国产化来解决对国外厂商重度依赖的问题。

　　资料显示，大基金一期成立于2014年9月，注册资本987.2亿元，最终募集资金总额为1387亿元；大基金二期成立于2019年10月，注册资本2041.5亿元；大基金三期已于5月24日注册成立，注册资本3440亿元。

　　显而易见的变化是，本次大基金三期的注册资本高于一期、二期的总和，远超市场的预期。

　　和前两期相比，此次大基金三期经营范围更加详细，包括私募股权投资基金管理、创业投资基金管理服务；以私募基金从事股权投资、投资管理、资产管理等活动；企业管理咨询。

　　大基金一期二期的经营范围均未提及私募股权投资基金、创业投资基金。

　　从投资方来看，相比大基金二期的27个股东方，大基金三期的股东数有所减少。

　　目前，大基金三期由财政部、国开金融有限责任公司、上海国盛（集团）有限公司、国有六大银行、亦庄国投等19位股东共同持股。

　　其中：财政部（17.4419%）为第一大股东，建设银行、中国银行、工商银行、农业银行均出资215亿元，交通银行出资200亿元，邮储银行出资80亿元，国有六大行出资占比达37.06%。

　　值得注意的是，国有六大行为首次参与到集成电路的国家大基金投资中。

　　对于大基金三期的投向，此前有媒体报道称，除了制造、设备和材料等细分领域，随着人工智能和数字经济领域的加速发展，AI相关芯片、算力芯片等或成为大基金三期投资的新重点。算力芯片和存储芯片将成为产业链上的关键节点。除了延续对半导体设备和材料的支持外，更有可能将HBM等高附加值DRAM芯片列为重点投资对象。

　　国产算力产业链有望持续受益

　　对于大基金三期，市场分析普遍认为，其将继续加强对半 导体设备和材料的投资，同时会更加关注高附加值产品，如高性能DRAM芯片（如HBM），以适应数字经济和人工智能时代的需求。此外，针对美国限制出口的关键技术，如先进半导体设备（光刻机）和材料，也将成为投资的重点，旨在提升国内产业链的安全性和竞争力。

　　港股那点事

责任编辑：石秀珍 SF183