古鳌科技:预计新存科技三维新型存储芯片产品良品率在今年达到50%的目标不存在实质性障碍
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格隆汇5月29日|古鳌科技回复深交所问询函,根据上海昊元古投资新存科技时的商业计划,新存科技预计在2024年第三季度完成三维新型存储芯片技术研发和性能优化,良品率预计在2024年达到50%。 截至目前,新存科技三维新型 存储芯片项目已经完成测试芯片和原型芯片的开发工作,目前正在进行产品芯片的优化工作,并开启实验性试产。预计完成三维新型存储芯片技术研发和性能优化及产品良品率在2024年达到50%的目标不存在实质性障碍,相应研发进程将会根据客户的实际需求进行调整。